Unsere Produkte

Übersicht

Wir fertigen halbisolierende und halbleitende III-V-Substrate für Anwendungen in der Hochfrequenz- und Optoelektronik.

Mit Produkten, die immer und überall die höchsten Qualitätsanforderungen erfüllen müssen, hat sich FCM weltweit einen exzellenten Ruf erworben.

Alle Produkte werden in aufwendigen Analyse- und Messverfahren umfassend charakterisiert, damit wir den Anforderungen und Wünschen unserer Kunden jederzeit gerecht werden können.

Grundlage für unsere GaAs-, InP- und GaN-Wafer sind Einkristallen, die aus der Schmelze nach dem LEC- oder VGF-Verfahren bzw. aus der Gasphase mittels HVPE-Technik gezüchtet werden. Zur Einstellung der elektrischen Eigenschaften wird das Material dotiert – es entsteht ein n-Typ bzw. p-Typ Halbleiter im hochohmigen (>10⁷ Ωcm) oder niederohmigen Bereich (<10⁻² Ωcm). Die Wafer Oberflächen sind extrem verunreinigungsarm und besitzen eine sogenannte „Epiready“-Qualität, d. h. die Wafer können direkt in Epitaxie Prozessen eingesetzt werden.